在IEEE國際電子器件會議（IEDM）的“邏輯未來”小組討論會上，臺灣半導體制造公司（TSMC）透露，其1.4納米級別的制造技術開發正在順利進行。同時，TSMC再次強調，其2納米級別的制造工藝預計將于2025年開始量產。

根據SemiAnalysis的Dylan Patel發布的幻燈片，TSMC的1.4納米生產節點正式被命名為A14。目前，TSMC尚未透露計劃何時開始A14的大規模制造（HVM）及其規格，但鑒于N2計劃于2025年底和N2P計劃于2026年底推出，可以合理猜測A14將在此之后（2027 - 2028年）推出。

在特性方面，A14不太可能采用垂直堆疊的互補場效應晶體管（CFETs），盡管TSMC正在探索這項技術。因此，A14可能會依賴該公司的第二代或第三代全環繞柵極場效應晶體管（GAAFETs），就像N2節點一樣。

像N2和A14這樣的節點將需要系統級別的共同優化，才能真正發揮差異，實現新水平的性能、功耗和特性。

尚未可知的是，TSMC是否計劃在2027 - 2028年期間為其A14工藝技術采用高數值孔徑（High-NA）極紫外（EUV）光刻工具?？紤]到到那時英特爾（以及可能的其他芯片制造商）將已經采用并完善了下一代EUV光刻機（具有0.55數值孔徑），芯片代工廠應該很容易使用它們。然而，由于高數值孔徑EUV光刻工具將視場尺寸減半，其使用將給芯片設計師和芯片制造商帶來額外的挑戰。

當然，從現在到2027 - 2028年，許多情況可能會發生變化，因此我們不能做出太多假設。但顯而易見的是，TSMC的科學家和開發人員正在研究下一代生產節點。